R5005CNJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5005CNJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для R5005CNJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5005CNJ даташит

 ..1. Size:1198K  rohm
 r5005cnj.pdf pdf_icon

R5005CNJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Wide range of SOA. 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 5) Parallel use is easy. Application Switching Packagin

 7.1. Size:1623K  rohm
 r5005cnx.pdf pdf_icon

R5005CNJ

R5005CNX Datasheet Nch 500V 5A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.6 ID 5A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits

Другие IGBT... SKP202, SKP253, 2SK3018, 2SK3018UB, 2SK3019, 2SK3019EB, 2SK3541, R4008AND, 50N06, R5007ANJ, R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX