Справочник MOSFET. R5005CNJ

 

R5005CNJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5005CNJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для R5005CNJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5005CNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  rohm
 r5005cnj.pdf pdf_icon

R5005CNJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.782.73) Wide range of SOA. 5.08(1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple.(3) Source5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packagin

 7.1. Size:1623K  rohm
 r5005cnx.pdf pdf_icon

R5005CNJ

R5005CNXDatasheetNch 500V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS500VRDS(on)(Max.)1.6 ID5A PD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits

Другие MOSFET... SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND , 50N06 , R5007ANJ , R5007ANX , R5009ANJ , R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | PDN3611S | 2N65KL-TF3-T | 2SK2032 | HM2P10PR

 

 
Back to Top

 


 
.