R5007ANJ Todos los transistores

 

R5007ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5007ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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R5007ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  rohm
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R5007ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5007ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6)

 7.1. Size:280K  rohm
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R5007ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5007ANX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.23) Wide SOA (safe operating area). 1.34) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 0.86) Parallel use is easy. (1)Base2.54 2.54 0.75 2.6

 9.1. Size:3129K  rohm
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R5007ANJ

R5007FNXDatasheetNch 500V 7A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS500VRDS(on)(Max.)1.3 ID7A PD40W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed t

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History: AM2392N | MP20N60EI | FQD2N100TM | FDH34N40 | LNG4N60 | NTMFS4C302N | NVMFS5830NL

 

 
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