R5007ANJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: R5007ANJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: LPTS
R5007ANJ Datasheet (PDF)
r5007anj.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5007ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6)
r5007anx.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5007ANX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.23) Wide SOA (safe operating area). 1.34) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 0.86) Parallel use is easy. (1)Base2.54 2.54 0.75 2.6
r5007fnx.pdf
R5007FNXDatasheetNch 500V 7A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS500VRDS(on)(Max.)1.3 ID7A PD40W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918