R5013ANX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5013ANX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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R5013ANX datasheet

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R5013ANX

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8 (1)Base 4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) guaranteed to be 30V. (3)Emitter 5) Drive

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R5013ANX

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit mm) LPTS Silicon N-channel MOSFET 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.4 0.78 5.08 2.7 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source Each lead has same dimensions 5) Parallel use i

Otros transistores... R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, IRFB4227, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND, R5207AND