Справочник MOSFET. R5013ANX

 

R5013ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5013ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R5013ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  rohm
 r5013anx.pdf pdf_icon

R5013ANX

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8(1)Base4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)guaranteed to be 30V. (3)Emitter5) Drive

 7.1. Size:262K  rohm
 r5013anj.pdf pdf_icon

R5013ANX

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) LPTSSilicon N-channel MOSFET 10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.785.08 2.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple. (3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use i

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RFM15N12 | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.