R5013ANX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5013ANX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для R5013ANX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5013ANX даташит

 ..1. Size:237K  rohm
 r5013anx.pdf pdf_icon

R5013ANX

R5013ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5013ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.8 (1)Base 4) Gate-source voltage (VGSS) 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) guaranteed to be 30V. (3)Emitter 5) Drive

 7.1. Size:262K  rohm
 r5013anj.pdf pdf_icon

R5013ANX

10V Drive Nch MOSFET R5013ANJ Structure Dimensions (Unit mm) LPTS Silicon N-channel MOSFET 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.4 0.78 5.08 2.7 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source Each lead has same dimensions 5) Parallel use i

Другие IGBT... R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, IRFB4227, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND, R5207AND