R5016FNX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: R5016FNX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET R5016FNX

R5016FNX Datasheet (PDF)

..1. Size:1194K rohm
r5016fnx.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

7.1. Size:3327K rohm
r5016fnj.pdf

R5016FNJDatasheetNch 500V 16A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

9.1. Size:279K rohm
r5016anj.pdf

10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6) P

9.2. Size:238K rohm
r5016anx.pdf

R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8(1)Baseguaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Drive circuit

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMN53D0LDW | NTLUF4189NZ | IRFH4210

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: