R5016FNX. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: R5016FNX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO220FM
Аналог (замена) для R5016FNX
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
R5016FNX даташит
r5016fnx.pdf
Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) (3) Source Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type
r5016fnj.pdf
R5016FNJ Datasheet Nch 500V 16A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
r5016anj.pdf
10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.4 0.78 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.7 5.08 (1) Base (Gate) (1) (2) (3) 5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain) 6) P
r5016anx.pdf
R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Fast switching speed. 1.3 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8 (1)Base guaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) 5) Drive circuit
Другие IGBT... R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, AON6414A, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX
History: MMN6968E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent




