Справочник MOSFET. R5016FNX

 

R5016FNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5016FNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R5016FNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  rohm
r5016fnx.pdfpdf_icon

R5016FNX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 7.1. Size:3327K  rohm
r5016fnj.pdfpdf_icon

R5016FNX

R5016FNJDatasheetNch 500V 16A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

 9.1. Size:279K  rohm
r5016anj.pdfpdf_icon

R5016FNX

10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6) P

 9.2. Size:238K  rohm
r5016anx.pdfpdf_icon

R5016FNX

R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8(1)Baseguaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Drive circuit

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BLC75N120-F | IXKH70N60C5 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | BSC014N06NS | STE15N100 | FS30KMJ-06F

 

 
Back to Top

 


 
.