R5019ANJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5019ANJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: LPTS

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R5019ANJ datasheet

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R5019ANJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5019ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 3) Wide SOA. 2.7 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specif

 7.1. Size:1187K  rohm
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R5019ANJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5019ANX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. (1) Gate (2) Drain 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) (3) Source Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type

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