R5019ANJ Todos los transistores

 

R5019ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5019ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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R5019ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  rohm
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R5019ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5019ANJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.783) Wide SOA.2.75.08(1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple.(3) Source5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specif

 7.1. Size:1187K  rohm
 r5019anx.pdf pdf_icon

R5019ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5019ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) (3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

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History: P2806BV | QM2413K

 

 
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