R5019ANJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5019ANJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для R5019ANJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5019ANJ даташит

 ..1. Size:1186K  rohm
 r5019anj.pdf pdf_icon

R5019ANJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5019ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 3) Wide SOA. 2.7 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specif

 7.1. Size:1187K  rohm
 r5019anx.pdf pdf_icon

R5019ANJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5019ANX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. (1) Gate (2) Drain 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) (3) Source Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type

Другие IGBT... R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, IRFB4115, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX