Справочник MOSFET. R5019ANJ

 

R5019ANJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5019ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для R5019ANJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5019ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  rohm
 r5019anj.pdf pdf_icon

R5019ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5019ANJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.783) Wide SOA.2.75.08(1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple.(3) Source5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specif

 7.1. Size:1187K  rohm
 r5019anx.pdf pdf_icon

R5019ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5019ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) (3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

Другие MOSFET... R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , IRFP250N , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND , R5207AND , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX .

History: SE20040 | HM2306 | SL11P06D | STF3NK100Z | FQP5N40 | CED20N02 | CS10N60A8HD

 

 
Back to Top

 


 
.