R5021ANX Todos los transistores

 

R5021ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5021ANX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

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R5021ANX Datasheet (PDF)

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R5021ANX

R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use is

 7.1. Size:805K  rohm
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R5021ANX

R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS (2) 500V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)0.22WID21A(1) PD100W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free

Otros transistores... R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , IRFB4115 , R5205CND , R5207AND , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX .

History: NVB150N65S3F | AOD421 | 2P985B-2 | TPD60R3K4C | IRFU3704Z | IRC740PBF | 2SK3892

 

 
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