Справочник MOSFET. R5021ANX

 

R5021ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5021ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
 

 Аналог (замена) для R5021ANX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5021ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  rohm
 r5021anx.pdf pdf_icon

R5021ANX

R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use is

 7.1. Size:805K  rohm
 r5021anj.pdf pdf_icon

R5021ANX

R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS (2) 500V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)0.22WID21A(1) PD100W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free

Другие MOSFET... R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , IRFB4115 , R5205CND , R5207AND , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX .

History: CEB02N9 | SI8810 | IRFPE30PBF | STD10PF06-1 | PM557BA | CEDM7001VL | CED12N10L

 

 
Back to Top

 


 
.