R5021ANX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5021ANX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для R5021ANX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5021ANX даташит

 ..1. Size:231K  rohm
 r5021anx.pdf pdf_icon

R5021ANX

R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Fast switching speed. 1.3 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1)Base 4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) 5) Parallel use is

 7.1. Size:805K  rohm
 r5021anj.pdf pdf_icon

R5021ANX

R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS (2) 500V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.22W ID 21A (1) PD 100W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free

Другие IGBT... R5011FNX, R5013ANJ, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, P55NF06, R5205CND, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX, R6008FNJ, R6008FNX