R5205CND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5205CND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 525 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: CPT3

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R5205CND datasheet

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R5205CND

10V Drive Nch MOSFET R5205CND Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low resistance. 2) High speed switching. 0.75 0.65 0.9 2.3 (1)Gate 2.3 (1) (2) (3) 0.5 (2)Drain 1.0 (3)Source Abbreviated symbol R5205C Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 2 Type

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