R5205CND Todos los transistores

 

R5205CND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5205CND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3
 

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R5205CND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  rohm
 r5205cnd.pdf pdf_icon

R5205CND

10V Drive Nch MOSFET R5205CND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.55.12.30.5Features1) Low resistance.2) High speed switching.0.750.650.92.3(1)Gate2.3(1) (2) (3)0.5(2)Drain1.0(3)Source Abbreviated symbol : R5205C ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping2Type

Otros transistores... R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , IRF630 , R5207AND , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX , R6010ANX .

History: TPD65R1K5M | R6004CND | PTA09N50 | TK20E60W5 | STW26NM60ND | STW30NM60N

 

 
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