R5205CND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5205CND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: CPT3

Аналог (замена) для R5205CND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5205CND даташит

 ..1. Size:198K  rohm
 r5205cnd.pdf pdf_icon

R5205CND

10V Drive Nch MOSFET R5205CND Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low resistance. 2) High speed switching. 0.75 0.65 0.9 2.3 (1)Gate 2.3 (1) (2) (3) 0.5 (2)Drain 1.0 (3)Source Abbreviated symbol R5205C Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 2 Type

Другие IGBT... R5013ANJ, R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, 8205A, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX, R6008FNJ, R6008FNX, R6010ANX