Справочник MOSFET. R5205CND

 

R5205CND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5205CND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: CPT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R5205CND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  rohm
 r5205cnd.pdf pdf_icon

R5205CND

10V Drive Nch MOSFET R5205CND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.55.12.30.5Features1) Low resistance.2) High speed switching.0.750.650.92.3(1)Gate2.3(1) (2) (3)0.5(2)Drain1.0(3)Source Abbreviated symbol : R5205C ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping2Type

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.