Справочник MOSFET. R5205CND

 

R5205CND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5205CND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: CPT3
 

 Аналог (замена) для R5205CND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5205CND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  rohm
 r5205cnd.pdf pdf_icon

R5205CND

10V Drive Nch MOSFET R5205CND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.55.12.30.5Features1) Low resistance.2) High speed switching.0.750.650.92.3(1)Gate2.3(1) (2) (3)0.5(2)Drain1.0(3)Source Abbreviated symbol : R5205C ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping2Type

Другие MOSFET... R5013ANJ , R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , 2SK3878 , R5207AND , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX , R6010ANX .

History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | IPD40N03S4L-08 | UM6K31N | H8N60F

 

 
Back to Top

 


 
.