R5207AND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5207AND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 525 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.78 Ohm
Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R5207AND
R5207AND Datasheet (PDF)
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Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5207AND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide SOA.(1) Gate0.650.9 2.3(2) Drain(1) (2) (3)2.3 0.54) Drive circuits can be simple.(3) Source1.05) Parallel use is easy. ApplicationSwit
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