R5207AND Todos los transistores

 

R5207AND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5207AND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
 

 Búsqueda de reemplazo de R5207AND MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

R5207AND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  rohm
 r5207and.pdf pdf_icon

R5207AND

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5207AND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide SOA.(1) Gate0.650.9 2.3(2) Drain(1) (2) (3)2.3 0.54) Drive circuits can be simple.(3) Source1.05) Parallel use is easy. ApplicationSwit

Otros transistores... R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND , STP75NF75 , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX , R6010ANX , R6012ANJ .

History: SHD219303 | PTD20N06 | STB11NM80

 

 
Back to Top

 


 
.