R5207AND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5207AND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для R5207AND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5207AND даташит

 ..1. Size:1156K  rohm
 r5207and.pdf pdf_icon

R5207AND

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5207AND Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide SOA. (1) Gate 0.65 0.9 2.3 (2) Drain (1) (2) (3) 2.3 0.5 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 1.0 5) Parallel use is easy. Application Swit

Другие IGBT... R5013ANX, R5016ANJ, R5016ANX, R5016FNX, R5019ANJ, R5019ANX, R5021ANX, R5205CND, 7N65, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX, R6008FNJ, R6008FNX, R6010ANX, R6012ANJ