Справочник MOSFET. R5207AND

 

R5207AND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5207AND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для R5207AND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5207AND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  rohm
 r5207and.pdf pdf_icon

R5207AND

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5207AND Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide SOA.(1) Gate0.650.9 2.3(2) Drain(1) (2) (3)2.3 0.54) Drive circuits can be simple.(3) Source1.05) Parallel use is easy. ApplicationSwit

Другие MOSFET... R5013ANX , R5016ANJ , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND , STP75NF75 , R6004CND , R6006AND , R6006ANX , R6008ANX , R6008FNJ , R6008FNX , R6010ANX , R6012ANJ .

History: SRC11N65TF | STP26N65DM2 | RU20T8M7 | LNE06R079 | KHB6D0N40F | SQM50P04-09L | PTP20N65A

 

 
Back to Top

 


 
.