R6008FNJ Todos los transistores

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R6008FNJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6008FNJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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R6008FNJ Datasheet (PDF)

1.1. r6008fnj.pdf Size:1312K _rohm

R6008FNJ
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6008FNJ ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 1.24 2) Low on-resistance. 2.54 0.4 0.78 3) Fast switching speed. 2.7 5.08 (1) (2) (3) 4) Gate-source voltage ? VGSS garanteed to be 30V . 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. ?Application

3.1. r6008fnx.pdf Size:290K _rohm

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10V Drive Nch MOSFET R6008FNX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 ?3.2 4.5 2.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 1.2 2) Low on-resistance. 1.3 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1) Gate 5) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) 6) Parallel use is easy.

5.1. r6008anx.pdf Size:997K _rohm

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R6008ANX Nch 600V 8A Power MOSFET Datasheet ?Outline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.8? ID 8A PD 50W (1)(2)(3) ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS

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