R6008FNJ Todos los transistores

 

R6008FNJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6008FNJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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R6008FNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1312K  rohm
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R6008FNJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6008FNJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1) Fast reverse recovery time (trr)1.242) Low on-resistance.2.54 0.40.783) Fast switching speed.2.75.08(1) (2) (3)4) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel use is easy.

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R6008FNJ

10V Drive Nch MOSFET R6008FNX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 1.22) Low on-resistance. 1.33) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1) Gate5) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain (1) (2) (3)6) Parallel use is ea

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R6008FNJ

R6008ANXNch 600V 8A Power MOSFET DatasheetOutlineVDSS600V TO-220FMRDS(on) (Max.)0.8ID8APD50W (1)(2)(3) Features Inner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pla

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History: SD8901CY | WMO13P06T1 | 2SJ465

 

 
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