R8002ANX Todos los transistores

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R8002ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R8002ANX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FM

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R8002ANX Datasheet (PDF)

1.1. r8002anx.pdf Size:1191K _rohm

R8002ANX
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R8002ANX ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 ?3.2 4.5 2.8 ?Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) (3) Source ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Bulk Type Code - ?1 Bas

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