Справочник MOSFET. R8002ANX

 

R8002ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R8002ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
 

 Аналог (замена) для R8002ANX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R8002ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  rohm
r8002anx.pdfpdf_icon

R8002ANX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8002ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
r8002anx.pdfpdf_icon

R8002ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8002ANXFEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:1546K  rohm
r8002anj.pdfpdf_icon

R8002ANX

R8002ANJDatasheetNch 800V 2A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 4.3 LPT(S)ID 2APD 62W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size

 7.2. Size:254K  inchange semiconductor
r8002anj.pdfpdf_icon

R8002ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8002ANJFEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... R6018ANX , R6020ANJ , R6020ANX , R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , IRLZ44N , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 .

History: IRFH7911 | JFFC10N65C | RSS090P03

 

 
Back to Top

 


 
.