RAF040P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RAF040P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RAF040P01

RAF040P01 Datasheet (PDF)

..1. Size:1187K rohm
raf040p01.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.5V drive).3) Small surface mount package(TUMT3).Abbreviated symbol : SF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (piece

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History: RCD100N19

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: