RAF040P01 Todos los transistores

 

RAF040P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RAF040P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3
 

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RAF040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  rohm
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RAF040P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.5V drive).3) Small surface mount package(TUMT3).Abbreviated symbol : SF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (piece

Otros transistores... R6020ANX , R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , IRLB4132 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 .

History: NP60N04VDK | IRF9Z34NSPBF

 

 
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