RAF040P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RAF040P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TUMT3

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RAF040P01 datasheet

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RAF040P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive(1.5V drive). 3) Small surface mount package(TUMT3). Abbreviated symbol SF Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic ordering unit (piece

Otros transistores... R6020ANX, R6020ANZ, R6020FNX, R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, CS150N03A8, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20