RAF040P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RAF040P01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 12 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 37 nC
Tiempo de subida (tr): 43 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT3
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RAF040P01 Datasheet (PDF)
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Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.5V drive).3) Small surface mount package(TUMT3).Abbreviated symbol : SF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (piece
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