RAF040P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RAF040P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RAF040P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAF040P01 даташит

 ..1. Size:1187K  rohm
 raf040p01.pdf pdf_icon

RAF040P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive(1.5V drive). 3) Small surface mount package(TUMT3). Abbreviated symbol SF Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic ordering unit (piece

Другие IGBT... R6020ANX, R6020ANZ, R6020FNX, R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, CS150N03A8, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20