Справочник MOSFET. RAF040P01

 

RAF040P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAF040P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RAF040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  rohm
 raf040p01.pdf pdf_icon

RAF040P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.5V drive).3) Small surface mount package(TUMT3).Abbreviated symbol : SF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (piece

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SIHFZ48L | GWM100-01X1-SMD | IAUC100N10S5N040 | STU601S | CJP04N65 | WMJ22N50C4 | CS6N100P

 

 
Back to Top

 


 
.