Справочник MOSFET. RAF040P01

 

RAF040P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAF040P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RAF040P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAF040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  rohm
 raf040p01.pdf pdf_icon

RAF040P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAF040P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.5V drive).3) Small surface mount package(TUMT3).Abbreviated symbol : SF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (piece

Другие MOSFET... R6020ANX , R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , IRLB4132 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 .

History: FDMS86381-F085 | SQV90N06-05 | NTD3817N-1G | IRFP453FI | IRHM7360SE | HM10P10Q | WPM2005B

 

 
Back to Top

 


 
.