RAL025P01 Todos los transistores

 

RAL025P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RAL025P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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RAL025P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
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RAL025P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL025P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Otros transistores... R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , IRFP450 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 .

History: SFI9540 | IRFR2407 | FDB86563F085 | RU5H18Q | SIS862DN | JSM3622 | IRFAE50

 

 
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