RAL025P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RAL025P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RAL025P01 datasheet

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RAL025P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAL025P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TCR Basic ordering unit (pieces) 3000

Otros transistores... R6020ANZ, R6020FNX, R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, NCEP15T14, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25