RAL025P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RAL025P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RAL025P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL025P01 даташит

 ..1. Size:1158K  rohm
 ral025p01.pdf pdf_icon

RAL025P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAL025P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TCR Basic ordering unit (pieces) 3000

Другие IGBT... R6020ANZ, R6020FNX, R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, NCEP15T14, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25