Справочник MOSFET. RAL025P01

 

RAL025P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAL025P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RAL025P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL025P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
 ral025p01.pdf pdf_icon

RAL025P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL025P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Другие MOSFET... R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , IRFP450 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 .

 

 
Back to Top

 


 
.