Справочник MOSFET. RAL025P01

 

RAL025P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAL025P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL025P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
 ral025p01.pdf pdf_icon

RAL025P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL025P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSM3K04FS | IPLU250N04S4-1R7 | NP48N055CHE | PZ2N7002M | AUIRFSL8408 | RD3P200SN | KTK920BT

 

 
Back to Top

 


 
.