RAL045P01 Todos los transistores

 

RAL045P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RAL045P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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RAL045P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1163K  rohm
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RAL045P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code TCR2Basic ordering unit (pieces)

Otros transistores... R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , 20N50 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 .

History: RU3040M3 | IPS70R900P7S | IRLHS2242PBF | PDN3611S | SSF4004 | R6009ENX | 2N80L-TF3-T

 

 
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