RAL045P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RAL045P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RAL045P01 datasheet

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RAL045P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAL045P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SC Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TCR 2 Basic ordering unit (pieces)

Otros transistores... R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, STP80NF70, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25