RAL045P01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RAL045P01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TUMT6
Аналог (замена) для RAL045P01
RAL045P01 Datasheet (PDF)
ral045p01.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code TCR2Basic ordering unit (pieces)
Другие MOSFET... R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , 18N50 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 .
History: MMN4446 | 2N60G-TMA-T
History: MMN4446 | 2N60G-TMA-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g