RAL045P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RAL045P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RAL045P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL045P01 даташит

 ..1. Size:1163K  rohm
 ral045p01.pdf pdf_icon

RAL045P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAL045P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SC Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TCR 2 Basic ordering unit (pieces)

Другие IGBT... R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, STP80NF70, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25