Справочник MOSFET. RAL045P01

 

RAL045P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAL045P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RAL045P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL045P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1163K  rohm
 ral045p01.pdf pdf_icon

RAL045P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAL045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code TCR2Basic ordering unit (pieces)

Другие MOSFET... R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , 20N50 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 .

History: HMS85N03ED | 2SK123 | HSCC8211 | KTK919S | IRFR9024TR | PQ6V2JN | UT90N03

 

 
Back to Top

 


 
.