RAQ045P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RAQ045P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RAQ045P01 datasheet

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RAQ045P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SC Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TCR Basic ordering unit (pieces) 3000

Otros transistores... R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, IRFP450, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20