RAQ045P01 Todos los transistores

 

RAQ045P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RAQ045P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RAQ045P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  rohm
 raq045p01.pdf pdf_icon

RAQ045P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Otros transistores... R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , IRF1407 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , RCJ450N20 .

History: HSBB3214 | NCEP045N85G | HSBB4115 | STH240N75F3-2 | STB25NM60N-1 | NCE25P60K | WST6045

 

 
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