RAQ045P01 Todos los transistores

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RAQ045P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RAQ045P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

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RAQ045P01 Datasheet (PDF)

1.1. raq045p01.pdf Size:1160K _rohm

RAQ045P01
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Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 ?Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol : SC ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TCR Basic ordering unit (pieces) 3000 ?2 RAQ045P01 ?

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