RAQ045P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RAQ045P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RAQ045P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAQ045P01 даташит

 ..1. Size:1160K  rohm
 raq045p01.pdf pdf_icon

RAQ045P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SC Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TCR Basic ordering unit (pieces) 3000

Другие IGBT... R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, IRFP450, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20