Справочник MOSFET. RAQ045P01

 

RAQ045P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAQ045P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RAQ045P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  rohm
 raq045p01.pdf pdf_icon

RAQ045P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SMF8N60 | AP6P090H | NCEP045N85G | NCE9926 | CS12N65FA9R | SQ3985EV | STP40NF10L

 

 
Back to Top

 


 
.