Справочник MOSFET. RAQ045P01

 

RAQ045P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAQ045P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RAQ045P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAQ045P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  rohm
 raq045p01.pdf pdf_icon

RAQ045P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RAQ045P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)Type Code TCRBasic ordering unit (pieces) 3000

Другие MOSFET... R6046ANZ , R6046FNZ , R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , IRF1407 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , RCJ450N20 .

History: SSP60R140SFD | WMN15N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.