RCD060N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCD060N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.41 Ohm
Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
Búsqueda de reemplazo de RCD060N25 MOSFET
RCD060N25 Datasheet (PDF)
rcd060n25.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD060N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe
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History: HSCB3010 | 2SK312 | IRF9630SPBF | WMO060N10HGS | STP62NS04Z | RAQ045P01 | WML07N65C4
History: HSCB3010 | 2SK312 | IRF9630SPBF | WMO060N10HGS | STP62NS04Z | RAQ045P01 | WML07N65C4



Liste
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