Справочник MOSFET. RCD060N25

 

RCD060N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RCD060N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

 Аналог (замена) для RCD060N25

 

 

RCD060N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  rohm
 rcd060n25.pdf

RCD060N25 RCD060N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD060N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top