RCD060N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCD060N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для RCD060N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD060N25 даташит

 ..1. Size:1154K  rohm
 rcd060n25.pdf pdf_icon

RCD060N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD060N25 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging spe

Другие IGBT... R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, BS170, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25