Справочник MOSFET. RCD060N25

 

RCD060N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD060N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RCD060N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD060N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1154K  rohm
 rcd060n25.pdf pdf_icon

RCD060N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD060N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Другие MOSFET... R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , 18N50 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 .

History: SSP60R140SFD | WMN15N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.