RCJ330N25 Todos los transistores

 

RCJ330N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ330N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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RCJ330N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  rohm
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RCJ330N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCJ330N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2.54 0.42) Fast switching speed. 0.782.75.083) Gate-source voltage (1) (2) (3)VGSS garanteed to be 30V .4) High package power.Application Inner circuitSwitching1Packaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ330N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ330N25FEATURESDrain Current I = 33A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , 5N65 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 .

History: BUZ357 | FDMS86101DC

 

 
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