RCJ330N25 Todos los transistores

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RCJ330N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ330N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 33 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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RCJ330N25 Datasheet (PDF)

1.1. rcj330n25.pdf Size:1236K _rohm

RCJ330N25
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCJ330N25 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2.54 0.4 2) Fast switching speed. 0.78 2.7 5.08 3) Gate-source voltage (1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V . 4) High package power. ?Application ? Inner circuit Switching ?1 ?Packaging specifications Package Taping

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