RCJ330N25 Todos los transistores

 

RCJ330N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ330N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

 Búsqueda de reemplazo de RCJ330N25 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RCJ330N25 datasheet

 ..1. Size:1236K  rohm
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCJ330N25 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2.54 0.4 2) Fast switching speed. 0.78 2.7 5.08 3) Gate-source voltage (1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V . 4) High package power. Application Inner circuit Switching 1 Packaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ330N25 FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 105m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , 2SK3568 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 .

History: AGM303MNA | AGM18N20H | STN4426 | JMSL1018AUQ | AGM15N10D | STN4438

 

 
Back to Top

 


 
.