RCJ330N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCJ330N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RCJ330N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ330N25 даташит

 ..1. Size:1236K  rohm
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCJ330N25 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2.54 0.4 2) Fast switching speed. 0.78 2.7 5.08 3) Gate-source voltage (1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V . 4) High package power. Application Inner circuit Switching 1 Packaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ330N25 FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 105m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие IGBT... RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, 2SK3568, RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25