Справочник MOSFET. RCJ330N25

 

RCJ330N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ330N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RCJ330N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ330N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  rohm
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCJ330N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2.54 0.42) Fast switching speed. 0.782.75.083) Gate-source voltage (1) (2) (3)VGSS garanteed to be 30V .4) High package power.Application Inner circuitSwitching1Packaging specifications

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj330n25.pdf pdf_icon

RCJ330N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ330N25FEATURESDrain Current I = 33A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , 5N65 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 .

History: FDMS86101DC | BUZ357

 

 
Back to Top

 


 
.