RCJ450N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCJ450N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RCJ450N20 datasheet

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RCJ450N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCJ450N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Wide range of SOA. 5.08 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circu

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ450N20 FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 55m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, 10N65, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, RCX450N20