RCJ450N20 Todos los transistores

 

RCJ450N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCJ450N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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RCJ450N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  rohm
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RCJ450N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCJ450N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.782.73) Wide range of SOA. 5.08(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circu

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCJ450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ450N20FEATURESDrain Current I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 55m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , 10N65 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 , RCX450N20 .

 

 
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