RCJ450N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCJ450N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RCJ450N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ450N20 даташит

 ..1. Size:1198K  rohm
 rcj450n20.pdf pdf_icon

RCJ450N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCJ450N20 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Wide range of SOA. 5.08 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circu

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj450n20.pdf pdf_icon

RCJ450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ450N20 FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 55m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие IGBT... RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, 10N65, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, RCX450N20