Справочник MOSFET. RCJ450N20

 

RCJ450N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCJ450N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RCJ450N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCJ450N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  rohm
 rcj450n20.pdf pdf_icon

RCJ450N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCJ450N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.782.73) Wide range of SOA. 5.08(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circu

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 rcj450n20.pdf pdf_icon

RCJ450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ450N20FEATURESDrain Current I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 55m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... RAQ045P01 , RCD040N25 , RCD050N20 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , STP80NF70 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 , RCX450N20 .

History: MTB30P06VT4 | WMT04P06TS | WSD2054DN22 | HSL0004 | SWD10N65K2 | CRTS030N04L

 

 
Back to Top

 


 
.