RCX160N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCX160N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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RCX160N20 datasheet

 ..1. Size:1193K  rohm
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RCX160N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX160N20 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type Code - 1 Basic ordering un

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCX160N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX160N20 FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, 20N50, RCX330N25, RCX450N20, RHK005N03, RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B