RCX160N20 Todos los transistores

 

RCX160N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX160N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

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RCX160N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  rohm
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RCX160N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX160N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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RCX160N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX160N20FEATURESDrain Current I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 180m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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History: IRF7380Q | 5N50L-TF1-T | APM6055NU

 

 
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