Справочник MOSFET. RCX160N20

 

RCX160N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCX160N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX160N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  rohm
rcx160n20.pdfpdf_icon

RCX160N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX160N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
rcx160n20.pdfpdf_icon

RCX160N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX160N20FEATURESDrain Current I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 180m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP05FN50I | QM3002F | FMI16N50ES | MCH6603 | IRFI3710 | BRCS140P03YB | WMK16N70SR

 

 
Back to Top

 


 
.