RCX450N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCX450N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO220FM

 Búsqueda de reemplazo de RCX450N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RCX450N20 datasheet

 ..1. Size:1195K  rohm
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX450N20 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) High speed switching. 3) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 4) High Power Package (TO-220FM). (1) (2) (3) Application Inner circuit Switching 1 P

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX450N20 FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 55m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, IRF2807, RHK005N03, RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03, RMW150N03