RCX450N20 Todos los transistores

 

RCX450N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX450N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

 Búsqueda de reemplazo de RCX450N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RCX450N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1195K  rohm
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX450N20 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1) Low on-resistance. 1.21.32) High speed switching.3) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V 0.82.54 2.54 0.75 2.64) High Power Package (TO-220FM).(1) (2) (3) Application Inner circuitSwitching1 P

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX450N20FEATURESDrain Current I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 55m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 , RCX080N25 , RCX120N20 , RCX120N25 , RCX160N20 , RCX330N25 , IRFB31N20D , RHK005N03 , RHP020N06 , RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.