RCX450N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCX450N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для RCX450N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX450N20 даташит

 ..1. Size:1195K  rohm
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX450N20 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) High speed switching. 3) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 4) High Power Package (TO-220FM). (1) (2) (3) Application Inner circuit Switching 1 P

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx450n20.pdf pdf_icon

RCX450N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX450N20 FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 55m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие IGBT... RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, IRF2807, RHK005N03, RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03, RMW150N03