RHP030N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RHP030N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: MPT3
Búsqueda de reemplazo de RHP030N03 MOSFET
RHP030N03 Datasheet (PDF)
rhp030n03.pdf
RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) 4V drive. 0.40.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate Applications(2)DrainSwitching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code
rhp030n03t100.pdf
RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT34.51.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3)2) 4V drive. 0.40.50.4 0.41.5 1.53.0(1)Gate Applications(2)DrainSwitching (3)Source Abbreviated symbol : KZ Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code
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