RHP030N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RHP030N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: MPT3

Аналог (замена) для RHP030N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHP030N03 даташит

 ..1. Size:62K  rohm
 rhp030n03.pdf pdf_icon

RHP030N03

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

 0.1. Size:60K  rohm
 rhp030n03t100.pdf pdf_icon

RHP030N03

RHP030N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RHP030N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT3 4.5 1.5 1.6 Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) 2) 4V drive. 0.4 0.5 0.4 0.4 1.5 1.5 3.0 (1)Gate Applications (2)Drain Switching (3)Source Abbreviated symbol KZ Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

Другие IGBT... RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, RCX450N20, RHK005N03, RHP020N06, 2N60, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03, RMW150N03, RMW180N03, RMW200N03, RMW280N03