RMW200N03 Todos los transistores

 

RMW200N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RMW200N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PSOP8
 

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RMW200N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  rohm
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RMW200N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW200N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance.1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive).0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Otros transistores... RHP020N06 , RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , NCEP15T14 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN .

History: WMLL010N04LG4 | SD210DE | R6515KNJ | DG4N65-TO251

 

 
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