Справочник MOSFET. RMW200N03

 

RMW200N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMW200N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PSOP8
 

 Аналог (замена) для RMW200N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW200N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  rohm
 rmw200n03.pdf pdf_icon

RMW200N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW200N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance.1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive).0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... RHP020N06 , RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , NCEP15T14 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN .

History: CEB7030L | STP33N60DM2 | ALD1102PAL | SW4N60V | WMK80R160S | MSU4N60S | STT3458N

 

 
Back to Top

 


 
.