RMW200N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RMW200N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PSOP8

Аналог (замена) для RMW200N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW200N03 даташит

 ..1. Size:1125K  rohm
 rmw200n03.pdf pdf_icon

RMW200N03

Data Sheet 4.5V Drive Nch MOSFET RMW200N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET PSOP8 (8) (7) (6) (5) Features 0 0.1 1) High Power package(PSOP8). 2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark (1) (2) (3) (4) 0.22 0.4 3) Low voltage drive(4.5V drive). 0.9 1.27 5.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit

Другие IGBT... RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03, RMW150N03, RMW180N03, IRF1405, RMW280N03, RP1A090ZP, RP1E070XN, RP1E075RP, RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN