Справочник MOSFET. RMW200N03

 

RMW200N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMW200N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW200N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  rohm
 rmw200n03.pdf pdf_icon

RMW200N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW200N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance.1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive).0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPP054NE8NG | CHM3413SGP | 4N60L-T2Q-T | MEE7816S | TPW65R080C | HYG055N08NS1P | MS65R120C

 

 
Back to Top

 


 
.