RP1A090ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RP1A090ZP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: MPT6
Búsqueda de reemplazo de RP1A090ZP MOSFET
RP1A090ZP Datasheet (PDF)
rp1a090zp.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord
rp1a090zptr.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord
Otros transistores... RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RU7088R , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP .
History: AOT600A70FL
History: AOT600A70FL
Liste
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