RP1A090ZP Todos los transistores

 

RP1A090ZP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RP1A090ZP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6
 

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RP1A090ZP datasheet

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RP1A090ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

 0.1. Size:313K  rohm
 rp1a090zptr.pdf pdf_icon

RP1A090ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

Otros transistores... RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , IRFZ48N , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP .

 

 
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