RP1A090ZP Todos los transistores

 

RP1A090ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1A090ZP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RP1A090ZP

 

 

RP1A090ZP Datasheet (PDF)

1.1. rp1a090zp.pdf Size:315K _rohm

RP1A090ZP
RP1A090ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) ?Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pie

Otros transistores... RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , 2SK163 , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP .

Back to Top

 


RP1A090ZP
  RP1A090ZP
  RP1A090ZP
  RP1A090ZP
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top