RP1A090ZP Todos los transistores

 

RP1A090ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1A090ZP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT6

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RP1A090ZP Datasheet (PDF)

1.1. rp1a090zptr.pdf Size:313K _update_mosfet

RP1A090ZP
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1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP  Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6).  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

1.2. rp1a090zp.pdf Size:315K _rohm

RP1A090ZP
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1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) ?Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pie

 

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