RP1A090ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RP1A090ZP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: MPT6

Аналог (замена) для RP1A090ZP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1A090ZP даташит

 ..1. Size:315K  rohm
 rp1a090zp.pdf pdf_icon

RP1A090ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

 0.1. Size:313K  rohm
 rp1a090zptr.pdf pdf_icon

RP1A090ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

Другие IGBT... RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03, RMW150N03, RMW180N03, RMW200N03, RMW280N03, IRFZ48N, RP1E070XN, RP1E075RP, RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP