RP1L080SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1L080SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: MPT6

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RP1L080SN datasheet

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RP1L080SN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1L080SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) (2) (3) 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Bas

 9.1. Size:1167K  rohm
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RP1L080SN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1L055SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic order

Otros transistores... RP1E075RP, RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, MMIS60R580P, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN