Справочник MOSFET. RP1L080SN

 

RP1L080SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1L080SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
 

 Аналог (замена) для RP1L080SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1L080SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  rohm
 rp1l080sn.pdf pdf_icon

RP1L080SN

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1L080SNStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) (2) (3)3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBas

 9.1. Size:1167K  rohm
 rp1l055sn.pdf pdf_icon

RP1L080SN

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1L055SN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

Другие MOSFET... RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , 2N7002 , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN .

History: R6509KNX

 

 
Back to Top

 


 
.