RP1L080SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RP1L080SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: MPT6

Аналог (замена) для RP1L080SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1L080SN даташит

 ..1. Size:1186K  rohm
 rp1l080sn.pdf pdf_icon

RP1L080SN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1L080SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) (2) (3) 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Bas

 9.1. Size:1167K  rohm
 rp1l055sn.pdf pdf_icon

RP1L080SN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1L055SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic order

Другие IGBT... RP1E075RP, RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, MMIS60R580P, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN