RQ1A060ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQ1A060ZP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ1A060ZP

RQ1A060ZP Datasheet (PDF)

..1. Size:219K rohm
rq1a060zp.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A060ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT83.00.8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0.17(1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) 0.650.32Abbreviated symbol : YH Each lead has same dimensions Applications Equivalent circuit Switching (8) (7) (6) (5) Packaging specifi

0.1. Size:650K rohm
rq1a060zptr.pdf

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS(7) -12V TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)23mW(1) ID-6A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S

9.1. Size:226K rohm
rq1a070zptr.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C

9.2. Size:1197K rohm
rq1a070ap.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRQ1A070AP Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive (1.5V drive).3) Small surface mount package (TSMT8).Abbreviated symbol : SG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (

9.3. Size:227K rohm
rq1a070zp.pdf

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