RQ1A060ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ1A060ZP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ1A060ZP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1A060ZP даташит

 ..1. Size:219K  rohm
rq1a060zp.pdfpdf_icon

RQ1A060ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A060ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 3.0 0.8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0.17 (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) 0.65 0.32 Abbreviated symbol YH Each lead has same dimensions Applications Equivalent circuit Switching (8) (7) (6) (5) Packaging specifi

 0.1. Size:650K  rohm
rq1a060zptr.pdfpdf_icon

RQ1A060ZP

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS (7) -12V TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 23mW (1) ID -6A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive. (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S

 9.1. Size:226K  rohm
rq1a070zptr.pdfpdf_icon

RQ1A060ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensions Abbreviated symbol YJ Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type C

 9.2. Size:1197K  rohm
rq1a070ap.pdfpdf_icon

RQ1A060ZP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070AP Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive (1.5V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol SG Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (

Другие IGBT... RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, RP1L080SN, AOD4184A, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN