Справочник MOSFET. RQ1A060ZP

 

RQ1A060ZP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQ1A060ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8

 Аналог (замена) для RQ1A060ZP

 

 

RQ1A060ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  rohm
 rq1a060zp.pdf

RQ1A060ZP RQ1A060ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A060ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT83.00.8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0.17(1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) 0.650.32Abbreviated symbol : YH Each lead has same dimensions Applications Equivalent circuit Switching (8) (7) (6) (5) Packaging specifi

 0.1. Size:650K  rohm
 rq1a060zptr.pdf

RQ1A060ZP RQ1A060ZP

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS(7) -12V TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)23mW(1) ID-6A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S

 9.1. Size:226K  rohm
 rq1a070zptr.pdf

RQ1A060ZP RQ1A060ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C

 9.2. Size:1197K  rohm
 rq1a070ap.pdf

RQ1A060ZP RQ1A060ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRQ1A070AP Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive (1.5V drive).3) Small surface mount package (TSMT8).Abbreviated symbol : SG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (

 9.3. Size:227K  rohm
 rq1a070zp.pdf

RQ1A060ZP RQ1A060ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top