RQ1C065UN Todos los transistores

 

RQ1C065UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ1C065UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

 Búsqueda de reemplazo de RQ1C065UN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RQ1C065UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  rohm
 rq1c065un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : VB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TRBasi

 9.1. Size:343K  rohm
 rq1c075un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : XH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBa

Otros transistores... RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , 5N50 , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 .

History: NP90N04NDH | SMK0260I | SSB60R075SFD2

 

 
Back to Top

 


 
.