RQ1C065UN Todos los transistores

 

RQ1C065UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ1C065UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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RQ1C065UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  rohm
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RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : VB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TRBasi

 9.1. Size:343K  rohm
 rq1c075un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : XH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBa

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History: AP85T10AGI-HF | APT12060B2VR | STB18NM80 | JCS7N70FE | SQ3425EV | SFP043N100C3

 

 
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