RQ1C065UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ1C065UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ1C065UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1C065UN даташит

 ..1. Size:328K  rohm
 rq1c065un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol VB Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basi

 9.1. Size:343K  rohm
 rq1c075un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol XH Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Ba

Другие IGBT... RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, RP1L080SN, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, IRFP064N, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03