Справочник MOSFET. RQ1C065UN

 

RQ1C065UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ1C065UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ1C065UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1C065UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  rohm
 rq1c065un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C065UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : VB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TRBasi

 9.1. Size:343K  rohm
 rq1c075un.pdf pdf_icon

RQ1C065UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ1C075UN Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : XH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBa

Другие MOSFET... RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , 5N50 , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 .

History: BSO200P03S | NP82N055NHE | VBZM100N04 | 2SK2596 | TT8K11

 

 
Back to Top

 


 
.