RQ1E100XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ1E100XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0075 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

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RQ1E100XN Datasheet (PDF)

1.1. rq1e100xn.pdf Size:1176K _rohm

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RQ1E100XN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). Abbreviated symbol : XS ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR

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