RQ1E100XN Todos los transistores

 

RQ1E100XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ1E100XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8

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RQ1E100XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  rohm
rq1e100xn.pdf

RQ1E100XN
RQ1E100XN

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E100XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XS ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping

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