RQ1E100XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ1E100XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ1E100XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1E100XN даташит

 ..1. Size:1176K  rohm
 rq1e100xn.pdf pdf_icon

RQ1E100XN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RQ1E100XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). Abbreviated symbol XS Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping

Другие IGBT... RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, IRF740, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03