Справочник MOSFET. RQ1E100XN

 

RQ1E100XN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQ1E100XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8

 Аналог (замена) для RQ1E100XN

 

 

RQ1E100XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  rohm
 rq1e100xn.pdf

RQ1E100XN RQ1E100XN

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E100XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XS ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top